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Promi 系列ALD 系统 Promi series ALD system


Promi系列ALD设备是设计适用于科学探究、企业研发和大规模自动化生产的灵活、可靠的原子层沉积ALD工艺平台。该设备非常适合从研发阶段的薄膜沉积扩大至大规模的工业化生产。

区别于普通CVD或PECVD原理,ALD可沉积超薄的、高深宽比的膜层。Promi系列ALD设备是用加热的方式,通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制,可用于沉积Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、TiN、TaN和ALN等多种薄膜。

Promi系列ALD设备通过独特的气路、腔体结构设计、配合相应的工艺配方,胜利实现了不同薄膜的沉积厚度可控性;此设备可落级更多的前驱体源和气路、高真空泵、原位清洗和其他选项;特殊设计的进气结构,解决了传统腔室的颗粒问题,使之具有良好的洁净度,改善产品的电性能和良率;设备系统易于安装维护,大大提高了装机和PM的周期。


应用领域

集成电路, 半导体照明,功率半导体,微机电系统,先进封装

适用工艺

Hi-K介质材料,金属栅极,阻挡层,掩膜,钝化层

产品优势



  • 紧凑的腔室结构设计、独特的进气结构,提高前驱物的吹扫成效,缩短ALD的工艺时间
  • 高效的前驱物传输系统,先进的工艺形式,提高前驱物的输送效率,减小前驱物的消耗
  • 易于维护的结构设计,提高机台的运行时间
  • 较低的运营成本和备件成本
  • 成熟的工艺控制满足28-14nm及更低技术代的高端需求
  • 特殊的加热基座,低能耗,高精度的温度场控制,具有良好的温度重又性
  • 模块化部件设计,便于在洁净室内安装和启动生产
  • 具有多种安都报警爱护、安都互锁、历史记录、操作日志查询等功能
  • 整机符合semi标准,功能齐都、软件操作界面符合大生产线需求


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