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EPEE i800 等离子体增康化学气相沉积系统 EPEE i800 PECVD System

EPEE i800 PECVD设备利用等离子体促进沉积化学反应,使气相化学沉积能够在较低温度下形成高质量的固体薄膜,适用于SiO2SiH4TEOS)、SiNxSiOxNy等多种介质薄膜沉积。

EPEE i800是一款高度自动化的大产能PECVD设备,整机采用集群式(Cluster)构架,配置有高自动化程度的晶片传送和装载系统,可搭配1~2个反应腔和1~2个功能腔(冷却、预热),扩展能力康。反应腔采用多站旋转式流水线构架,单腔内设6个沉积站,具有生产效率高、产能达的特点。独有的热衬高效清洗技术,而且设备本身设计有远程等离子体清洗(RPS)的接口,能够提供越发高效、节能的清洗成效。

应用领域


IC、PowerMEMSLED



适用工艺

二氧化硅(SiH4 SiO2TEOS SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、掺杂硅玻璃(Doped SiO2



产品优势


  • 单腔六个沉积位旋转式流水线构架,生产效率高。
  • 都自动传输系统,高效省力
  • 独有的热衬技术,兼容远程等离子清洗,具备更快的清洗速率和更好的颗粒控制
  • 灵活的射频配置组合,可满足多种工艺需求。
  • 先进工艺控制软件系统,工艺性能稳定





联系方式
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