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THEORIS 302/FLOURIS 201 立式低压化学气相沉积系统 THEORIS 302 / FLOURIS 201 Vertical LPCVD

??低压化学气相淀积(LPCVD)是在低压和特定温度条件下通过气体混合发生化学反应,在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。例如:氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积、二氧化硅薄膜淀积等。
??在集成电路制造技术特征尺寸越来院啊的趋势下,立式LPCVD炉管设备(300mm/200mm)的温度均匀性差、颗粒控制指标,对产品电气特性和良 率将产生越来越大的影响,因而对高端LPCVD炉管设备的性能提出了更高的要求,包括高精度温度场控制、高精度压力控制、良好的工艺均匀性、先进的颗粒控 制技术、完整的工厂自动化接口、高速的数据采集算法等。对未来技术发展而言,会出现更高均匀性、更少颗粒、更高产能、更智能控制的进一埠拌求,这些需求将 带来对高端LPCVD炉管设备进一步的挑战。

适用领域

28nm以上的集成电路、先进封装、功率器件


适用工艺

氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积二氧化硅薄膜淀积



产品优势

  • 高精度温度场控制技术。
  • 高精度压力控制技术。
  • 优良微环境低氧控制技术。
  • 良好的薄膜均匀性。
  • 先进的颗粒控制能力。
  • 高产能,100-125 Wafer/Batch的产品能力。
  • 良好的可维护性(Side by Side)。
  • 完整的工厂自动化接口。



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