首页>产品&服务>半导体装备 Semiconductor>等离子刻蚀设备 Etcher>GDE C200系列等离子刻蚀机 GDE C200 Series Plasma Etcher
产品&服务 Products & services
半导体装备 Semiconductor
GDE C200系列等离子刻蚀机 GDE C200 Series Plasma Etcher
  GDE C200系列单片刻蚀机采用超高密度等立体源,刻蚀速率高、均匀性好,颗粒控制能力优异,易维护,性能稳定。其在GaN、SiC、SiO2、Al2O3等材料的刻蚀上性能优异、工艺窗口宽,易于同相合工艺整合。
  本刻蚀机已在多条产线验证胜利,积累了丰富的刻蚀经验,能提高GaN和SiC功率器件的性能,同时保证性价比。

应用领域:

??功率器件


适用工艺:

  • GaN RF器件的SiC背孔刻蚀
  • SiC功率器件的栅槽刻蚀、大终端斜坡刻蚀、标伎堤蚀
  • GaN RF器件的的GaN快速刻蚀
  • SiO2刻蚀
  • SiN刻蚀
  • Al2O3刻蚀
  • AlN刻蚀


产品优势:

  • 超高密度等离子体源产生高密度等离子体。
  • ESC+机械压环(选配)设计—可以吸附SiC、蓝宝石、AlN及各种Bonding片。
  • 自动冷却电极晶圆温度在工艺过程中稳定可控。
  • 特殊的腔室设计颗粒控制,MTBC高。
  • 快拆设计易维护。
  • 特殊的等离子体源设计均匀性好。




相合资讯
相合产品
联系方式
XML 地图 | Sitemap 地图