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THEORIS 302/FLOURIS 201 立式低压化学气相沉积系统 THEORIS 302 / FLOURIS 201 Vertical LPCVD
??低压化学气相淀积(LPCVD)是在低压条件下通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。例如:氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积、二氧化硅薄膜淀积等。

??在集成电路制造技术特征尺寸越来院啊的趋势下,LPCVD炉管设备(300mm/200mm)存在均匀性差、颗粒多的问题,会导致产品电气特性和良率受至影响。这带来对高端LPCVD炉管设备的需求,而这些设备跟传统方式对比,需要独特的技术,包括高精度温度场控制、高精度压力控制、良好的工艺均匀性、先进的颗粒控制技术、完整的工厂自动化接口、高速的数据采集算法等。对未来技术发展而言,会出现更高均匀性、更少颗粒、更高产能、更智能控制的进一埠拌求,这些需求将带来对高端LPCVD炉管设备进一步的挑战。

应用领域

  28nm及以上的集成电路、先进封装、功率器件



适用工艺

 氮化硅薄膜淀积,二氧化硅薄膜淀积,多晶硅薄膜淀积,非晶硅薄膜淀积


产品优势

  • 高精度温度场控制技术。
  • 高精度压力控制技术。
  • 优良微环境低氧控制技术。
  • 良好的薄膜均匀性。
  • 先进的颗粒控制能力。
  • 高产能,100-125 Wafer/Batch的产品能力。
  • 良好的可维护性(Side by Side)。
  • 完整的工厂自动化接口。



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