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iTops A230 氮化铝溅射系统 iTops A230 AlN Sputter System
??PVD AlN是LED领域中一款创新的、革命性的工艺设备。 AlN缓冲层的加入,可以有效提落LED器件的光电性能、提高MOCVD设备的产能和降低整线生产成蓖辏利用磁控溅射的原理,在衬底材料上制备目标厚度的AlN薄膜,通过SEM、XRD和AFM的测试分析,AlN薄膜结构具有高度的C轴取向,结晶品质高,表面光滑平整;在AlN表面外延生长GaN后,GaN FWHM的(002)/(102)可以达至90/140 arcsec,表面非常光洁、平整;根据对LED芯片TEM的察看和分析,GaN跟AlN界面处的原子结合排布比较规则,GaN外延和MQW的生长过程中位错较少,原子排布整齐有序,这些均...

应用领域

??蓝白光LED、紫外LED,可拓展至MEMS和HEMT领域


产品优势

  • 高加热温度,设备工艺温度可达400-900℃,落降温速度快。
  • 高真空度,高温情形下真空度可达10-8Torr量级。
  • 高膜厚均匀性,片内、片间、批间均匀性1%以内。
  • 优秀的颗粒控制能力。
  • 设备易维护,每3个月维护一次,平均维护时间2小时,恢又时间12小时。
  • 工艺参数可调范围大,溅射功率、工艺压力、加热温度等参数可调,适配不同客户需求。
  • 设备价格低,产能高,性价比高。
  • 独特等离子溅射源,可有效提高等离子体离化率及靶材利用率。
  • 自主研发的软件操作系统,具有人机互动性高,操作简便,自动化控制,优良的工艺调度,超高的系统稳定性,完善的互锁机制等特点。



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